SIHD5N50D-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
Canal N 500 V 5,3 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface TO-252AA
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SIHD5N50D-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHD5N50D-E3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHD5N50D-E3
Description
MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 5,3 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
325 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 2,5A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IRF830PBFVishay Siliconix2 474IRF830PBF-ND2,27000 €Recommandation fabricant
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