
SIHD180N60E-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIHD180N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD180N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1080 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur DPAK |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 195mohms à 9,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | 3,38000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,51000 € | 3,51 € |
| 10 | 2,29900 € | 22,99 € |
| 100 | 1,61240 € | 161,24 € |
| 500 | 1,31932 € | 659,66 € |
| 1 000 | 1,22516 € | 1 225,16 € |
| 3 000 | 1,10573 € | 3 317,19 € |
| 6 000 | 1,09531 € | 6 571,86 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,51000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,21200 € |

