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SIHB33N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB33N60ET5-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB33N60ET5-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3508 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 16,5A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60E-GE3-ND | 6,20000 € | Équivalent paramétrique |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET1-GE3CT-ND | 6,20000 € | Équivalent paramétrique |
| FCB110N65F | onsemi | 1 451 | FCB110N65FCT-ND | 7,07000 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 2,33723 € | 1 869,78 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,33723 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,80468 € |
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