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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB25N50E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 26 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 145mohms à 12A, 10V | Numéro de produit de base |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,18000 € | 4,18 € |
| 10 | 2,76400 € | 27,64 € |
| 100 | 1,95940 € | 195,94 € |
| 500 | 1,61602 € | 808,01 € |
| 1 000 | 1,50577 € | 1 505,77 € |
| 2 000 | 1,41312 € | 2 826,24 € |
| 5 000 | 1,38959 € | 6 947,95 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,18000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,01600 € |
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