Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB24N80AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 25 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Rds On (max.) à Id, Vgs | 184mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 89 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1836 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 208W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263 (D2PAK) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
En stock: 914
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,55000 € | 2,55 € |
| 50 | 1,80580 € | 90,29 € |
| 100 | 1,73070 € | 173,07 € |
| 500 | 1,42918 € | 714,59 € |
| 1 000 | 1,33065 € | 1 330,65 € |
| 2 000 | 1,31321 € | 2 626,42 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,55000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,06000 € |
Les composants suivants peuvent vous intéresser
1 Articles
France