


SIHB23N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB23N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB23N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2418 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 158mohms à 12A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 1 192 | 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND | 4,28000 € | Similaire |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 5,98000 € | Similaire |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | 3 286 | R6020KNJTLCT-ND | 4,05000 € | Similaire |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 515 | 497-15423-1-ND | 3,40000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,42000 € | 4,42 € |
| 50 | 2,29160 € | 114,58 € |
| 100 | 2,08550 € | 208,55 € |
| 500 | 1,72444 € | 862,22 € |
| 1 000 | 1,60852 € | 1 608,52 € |
| 2 000 | 1,51111 € | 3 022,22 € |
| 5 000 | 1,49901 € | 7 495,05 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,42000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,30400 € |

