TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB11N80AE-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHB11N80AE-GE3
Description
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 8 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHB11N80AE-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
450mohms à 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
804 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
12,52000 €2,52 €
101,63200 €16,32 €
1001,12560 €112,56 €
5000,90926 €454,63 €
1 0000,83976 €839,76 €
2 0000,78133 €1 562,66 €
5 0000,76114 €3 805,70 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:2,52000 €
Prix unitaire avec TVA:3,02400 €