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SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA21N60EF-E3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 84 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2030 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 35W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 176mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | 5,23000 € | Similaire |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 4,84000 € | Similaire |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 4,39000 € | Similaire |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | 3,71000 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,88605 € | 1 886,05 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,88605 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,26326 € |
