Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.176 EUR
Availability: OutOfStock

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SIDR5802EP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR5802EP-T1-RE3
Description	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIDR5802EP-T1-RE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen V	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8DC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SIDR5802
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 20A, 10V