Name: SIA468DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA468DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.152 EUR
Availability: InStock

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SIA468DJ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA468DJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA468DJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA468DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA468DJ-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 37,8 A (Tc) 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIA468DJ-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC @ 4.5 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) +20V, -16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1290 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 19W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,8 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SC-70-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIA468
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,4mohms à 11A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 709

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,96000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,15200 €

SIA468DJ-T1-GE3