Name: SIA416DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA416DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.188 EUR
Availability: InStock

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SIA416DJ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA416DJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA416DJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA416DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA416DJ-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 11,3 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIA416DJ-T1-GE3 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 295 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,3 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SC-70-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIA416
Rds On (max.) à Id, Vgs 83mohms à 3,2A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDMA86151L	onsemi	9 628	FDMA86151LCT-ND	1,61000 €	Similaire

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