SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIA414DJ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA414DJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA414DJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA414DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA414DJ-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Référence client
Description détaillée	Canal N 8 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 5 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 4 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 8 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SC-70-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V	Numéro de produit de base SIA414
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 9,7A, 4,5V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SIA436DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	726	SIA436DJ-T1-GE3CT-ND	0,91000 €	Recommandation fabricant
DMN1019UFDE-7	Diodes Incorporated	1 029	DMN1019UFDE-7DICT-ND	0,73000 €	Similaire