Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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SI9926CDY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI9926CDY-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 8A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 8,3A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3,1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A	Numéro de produit de base SI9926

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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