Name: FDS4935BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4935BZTR-ND
Price: 1.512 EUR
Availability: InStock

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FDS4935BZ
Numéro de produit DigiKey	FDS4935BZTR-ND - Bande et bobine FDS4935BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDS4935BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS4935BZ
Description	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,9A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS4935BZ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,9A
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	160pF à 15V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS49