Name: SI8810EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8810EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

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SI8810EDB-T2-E1
Numéro de produit DigiKey	SI8810EDB-T2-E1TR-ND - Bande et bobine SI8810EDB-T2-E1CT-ND - Bande coupée (CT) SI8810EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI8810EDB-T2-E1
Description	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2,1 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface 4-Microfoot
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8 nC @ 8 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 245 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 4-Microfoot
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,1 A (Ta)	Boîtier 4-XFBGA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SI8810
Rds On (max.) à Id, Vgs 72mohms à 1A, 4,5V

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Documents et supports

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