Name: SI7850ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7850ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.968 EUR
Availability: InStock

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SI7850ADP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7850ADP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7850ADP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7850ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7850ADP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 10,3 A (Ta), 12 A (Tc) 3,6W (Ta), 35,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7850ADP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,6W (Ta), 35,7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,3 A (Ta), 12 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI7850
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,5mohms à 10A, 10V