Name: SI7848BDP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7848BDP-T1-E3TR-ND
Price: 4.26 EUR
Availability: InStock

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SI7848BDP-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI7848BDP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7848BDP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7848BDP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7848BDP-T1-E3
Description	MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 47 A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 4,2W (Ta), 36W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI7848
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 16A, 10V