Name: SI7450DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7450DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.828 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI7450DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7450DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7450DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7450DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7450DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 3,2 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7450