Name: SI7232DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7232DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.416 EUR
Availability: InStock

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SI7232DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7232DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 25A 23W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7232DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 16,4mohms à 10A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1220pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 23W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier powerPAK® 1212-8 double
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25A	Numéro de produit de base SI7232

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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