SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

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SI4800BDY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4800BDY-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 18,5mohms à 9A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1,8V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±25V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 1,3W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,5 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI4800

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6 705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	0,92000 €	Recommandation fabricant
FDS8884	onsemi	10	FDS8884CT-ND	0,82000 €	Similaire
STS10N3LH5	STMicroelectronics	1 933	497-10010-1-ND	1,39000 €	Similaire

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	1,25000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,50000 €

SI4800BDY-T1-GE3