Name: SI4686DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4686DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.292 EUR
Availability: InStock

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SI4686DY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4686DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4686DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4686DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4686DY-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 18,2 A (Tc) 3W (Ta), 5,2W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Série TrenchFET®, WFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1220 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 5,2W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18,2 A (Tc)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI4686
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,5mohms à 13,8A, 10V

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Documents et supports

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En stock: 6 013

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,91000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,29200 €

SI4686DY-T1-GE3