Name: SI3456DDV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3456DDV-T1-E3TR-ND
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

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SI3456DDV-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI3456DDV-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI3456DDV-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3456DDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3456DDV-T1-E3
Description	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,3 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,3 A (Tc)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI3456
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 5A, 10V

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

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Prix unitaire avec TVA:	0,60000 €

SI3456DDV-T1-E3