SI3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

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SI3424BDV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3424BDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3424BDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3424BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3424BDV-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 8 A (Tc) 2,1W (Ta), 2,98W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19.6 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 735 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 2,98W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI3424
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 7A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
AO6400	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2 840	785-1067-1-ND	0,73000 €	Similaire
FDC645N	onsemi	9	FDC645NCT-ND	1,01000 €	Similaire
FDC655BN	onsemi	16 750	FDC655BNCT-ND	0,67000 €	Similaire
NTGS4141NT1G	onsemi	9 638	NTGS4141NT1GOSCT-ND	0,67000 €	Similaire
RSQ020N03TR	Rohm Semiconductor	1 343	RSQ020N03CT-ND	0,88000 €	Similaire

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SI3424BDV-T1-GE3