Name: SI1411DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1411DH-T1-GE3TR-ND
Price: 1.332 EUR
Availability: InStock

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SI1411DH-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1411DH-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1411DH-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1411DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1411DH-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 420mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	420mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-6
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	SI1411