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SI1330EDL-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI1330EDL-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI1330EDL-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI1330EDL-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Montage en surface SC-70-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI1330EDL-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5ohms à 250mA, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.6 nC @ 4.5 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 280mW (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur SC-70-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 3V, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN63D1LW-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN63D1LW-7-ND | 0,04088 € | Similaire |
| RHU002N06T106 | Rohm Semiconductor | 19 289 | RHU002N06T106CT-ND | 0,32000 € | Similaire |
| RSU002N06T106 | Rohm Semiconductor | 6 473 | RSU002N06T106CT-ND | 0,25000 € | Similaire |



