SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Matrices de FET, MOSFET

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SI1024X-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1024X-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1024X-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1024X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1024X-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 485mA 250mW Montage en surface SC-89 (SOT-563F)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI1024X-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 700mohms à 600mA, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,75nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 250mW
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier SOT-563, SOT-666
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur SC-89 (SOT-563F)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Numéro de produit de base SI1024
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 485mA