
SI4202DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4202DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 12,1A 3,7W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4202DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 12,1A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 14mohms à 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 17nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 710pF à 15V | |
Puissance - Max. | 3,7W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,67000 € | 1,67 € |
| 10 | 1,06200 € | 10,62 € |
| 100 | 0,71630 € | 71,63 € |
| 500 | 0,56796 € | 283,98 € |
| 1 000 | 0,52858 € | 528,58 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,46860 € | 1 171,50 € |
| 5 000 | 0,43671 € | 2 183,55 € |
| 7 500 | 0,43185 € | 3 238,88 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,67000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,00400 € |










