Canal N 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant TO-247-3L
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MXP120A080FW-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-MXP120A080FW-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
MXP120A080FW-GE3
Description
SILICON CARBIDE MOSFET
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant TO-247-3L
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
MXP120A080FW-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
MaxSiC™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
2,69V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
47.3 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1156 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3L
Boîtier
TO-247-3
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
18,65000 €8,65 €
106,75700 €67,57 €
256,28240 €157,06 €
1005,76090 €576,09 €
2505,51220 €1 378,05 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:8,65000 €
Prix unitaire avec TVA:10,38000 €