IRFIB5N65APBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IRFIB5N65APBF

Numéro de produit DigiKey
IRFIB5N65APBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFIB5N65APBF
Description
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFIB5N65APBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
930mohms à 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1417 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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