
IRFI830GPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFI830GPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFI830GPBF |
Description | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 3,1 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFI830GPBF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 35W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 1,9A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2 484 | IRF830PBF-ND | 2,27000 € | Recommandation fabricant |
| TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 24 | TK5A50D(STA4,Q,M)-ND | 1,63000 € | Similaire |
| TK5A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 | TK5A55D(STA4QM)-ND | 1,76000 € | Similaire |
| TK6A45DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 19 | TK6A45DA(STA4QM)-ND | 1,63000 € | Similaire |
| TK6A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 14 | TK6A50D(STA4QM)-ND | 1,74000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,30000 € | 2,30 € |
| 10 | 1,48100 € | 14,81 € |
| 100 | 1,01330 € | 101,33 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,30000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,76000 € |

