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ESH1B-E3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

ESH1B-E3/61T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

ESH1B-M3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ESH1BHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ESH1BHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-1EMH01-M3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-1EMH01HM3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ESH1B
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 14 980
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Taiwan Semiconductor Corporation
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DO-214AC, SMA
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ESH1B-M3/61T

Numéro de produit DigiKey
ESH1B-M3/61T-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
ESH1B-M3/61T
Description
DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
900 mV @ 1 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
25 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
1 µA @ 100 V
Capacité à Vr, F
25pF à 4V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AC, SMA
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
ESH1
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
14 4000,11861 €1 707,98 €
Prix unitaire sans TVA:0,11861 €
Prix unitaire avec TVA:0,14233 €