Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique

ESH1B-M3/5AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ESH1B-M3/5AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ESH1B-M3/5AT |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 25pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 1 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1B-E3/5AT-ND | 0,11047 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 358 | ESH1B-E3/61TGICT-ND | 0,60000 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1B-M3/61T-ND | 0,12041 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1BHE3_A/H-ND | 0,12768 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1BHE3_A/I-ND | 0,11636 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,12041 € | 1 806,15 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,12041 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,14449 € |


