Équivalent paramétrique
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EGL41DHE3_B/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-EGL41DHE3_B/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | EGL41DHE3_B/I |
Description | DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 1A Montage en surface DO-213AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 200 V |
Série | Capacité à Vr, F 20pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-213AB |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 13 313 | BYM12-200-E3/96GICT-ND | 0,73000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 495 | BYM12-200-E3/97GICT-ND | 0,73000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM12-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-200HE3/96-ND | 0,00000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM12-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-200HE3/97-ND | 0,00000 € | Équivalent paramétrique |
| BYM12-200HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM12-200HE3_B/HTR-ND | 0,27471 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,27195 € | 2 719,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,27195 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,32634 € |


