Équivalent paramétrique
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BZT52C6V8-G3-18 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BZT52C6V8-G3-18-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZT52C6V8-G3-18 |
Description | DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 6.8 V 410 mW ±5% Montage en surface SOD-123 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 8 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 3 V |
Série | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C |
Conditionnement Bande et bobine | Type de montage Montage en surface |
Statut du composant Actif | Boîtier |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier fournisseur SOD-123 |
Tolérance ±5% | Numéro de produit de base |
Puissance - Max. 410 mW |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B6V8-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 15 236 | BZT52B6V8-E3-08GICT-ND | 0,39000 € | Équivalent paramétrique |
| BZT52B6V8-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B6V8-E3-18-ND | 0,05142 € | Équivalent paramétrique |
| BZT52B6V8-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 13 980 | 112-BZT52B6V8-G3-08CT-ND | 0,32000 € | Équivalent paramétrique |
| BZT52B6V8-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B6V8-G3-18-ND | 0,05385 € | Équivalent paramétrique |
| BZT52C6V8-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 912 | 112-BZT52C6V8-E3-08CT-ND | 0,38000 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,04889 € | 488,90 € |
| 20 000 | 0,04461 € | 892,20 € |
| 30 000 | 0,04244 € | 1 273,20 € |
| 50 000 | 0,03999 € | 1 999,50 € |
| 70 000 | 0,03854 € | 2 697,80 € |
| 100 000 | 0,03713 € | 3 713,00 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,04889 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,05867 € |







