Name: XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQR8308QBLXHQTR-ND
Price: 6.36 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

XPQR8308QB,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPQR8308QBLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPQR8308QB,LXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPQR8308QB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPQR8308QB,LXHQ
Description	80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Montage en surface L-TOGL™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3,2mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 305 nC @ 10 V
Série U-MOSX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 24700 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 750W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 350A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur L-TOGL™
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,83mohms à 175A, 10V	Boîtier 8-PowerBSFN