Name: XPN7R104NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN7R104NCL1XHQTR-ND
Price: 0.372 EUR
Availability: InStock

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XPN7R104NC,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPN7R104NCL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPN7R104NCL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPN7R104NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPN7R104NC,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 20 A (Ta) 840mW (Ta), 65W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPN7R104NC,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIII
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,1mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1290 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	840mW (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	XPN7R104