Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.592 EUR
Availability: InStock

Canal N 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface S-TOGL™

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XPJR6604PB,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPJR6604PB,LXHQ
Description	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface S-TOGL™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPJR6604PB,LXHQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 128 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11380 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur S-TOGL™
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,66mohms à 100A, 10V	Boîtier 5-PowerSFN