Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 1.044 EUR
Availability: InStock

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XPH6R30ANB,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XPH6R30ANB,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 45 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XPH6R30ANB,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	45 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,3mohms à 22,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3240 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	XPH6R30