Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 3.996 EUR
Availability: InStock

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TPW2900ENH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Bande et bobine 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPW2900ENH,L1Q
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 33 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montage en surface 8-DSOP Advance
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 16,5A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Série U-MOSVIII-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2200 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DSOP Advance
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerVDFN