Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 3.984 EUR
Availability: OutOfStock

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TPW1R306PL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Bande et bobine TPW1R306PLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPW1R306PL,L1Q
Description	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-DSOP Advance
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPW1R306PL,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 91 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8100 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur 8-DSOP Advance
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 260 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TPW1R306
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,29mohms à 50A, 10V