Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

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TPN4R806PL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Bande et bobine 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN4R806PL,L1Q
Description	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 72 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN4R806PL,L1Q Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	72 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 36A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2770 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	630mW (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	TPN4R806