Name: TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R304PLL1QTR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPN2R304PL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPN2R304PLL1QTR-ND - Bande et bobine TPN2R304PLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPN2R304PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN2R304PL,L1Q
Description	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 80 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN2R304PL,L1Q Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 300µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3600 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TPN2R304
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 40A, 10V