Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPN1600ANH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Bande et bobine TPN1600ANHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN1600ANH,L1Q
Description	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN1600ANH,L1Q Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 200µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPN1600
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 8,5A, 10V