Name: TPH8R80ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R80ANHL1QTR-ND
Price: 2.736 EUR
Availability: InStock

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TPH8R80ANH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPH8R80ANHL1QTR-ND - Bande et bobine TPH8R80ANHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPH8R80ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH8R80ANH,L1Q
Description	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 32 A (Tc) 1,6W (Ta), 61W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH8R80ANH,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta), 61W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPH8R80
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 16A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 29 237

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
5 000	0,62876 €	3 143,80 €
10 000	0,60768 €	6 076,80 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,28000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,73600 €

TPH8R80ANH,L1Q