Name: TPH4R606NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH4R606NHL1QTR-ND
Price: 3.096 EUR
Availability: InStock

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TPH4R606NH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPH4R606NHL1QTR-ND - Bande et bobine TPH4R606NHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPH4R606NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH4R606NH,L1Q
Description	MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 32 A (Ta) 1,6W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH4R606NH,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3965 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta), 63W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Ta)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6,5V, 10V	Numéro de produit de base TPH4R606
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,6mohms à 16A, 10V