Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 2.136 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK6R9P08QM,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - Bande et bobine 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK6R9P08QM,RQ
Description	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 62 A (Tc) 89W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK6R9P08QM,RQ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 6,9mohms à 31A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 500µA
Série U-MOSX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 89W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 62 A (Tc)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63