Name: TK65S04N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65S04N1LLQTR-ND
Price: 2.976 EUR
Availability: InStock

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TK65S04N1L,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK65S04N1LLQTR-ND - Bande et bobine TK65S04N1LLQCT-ND - Bande coupée (CT) TK65S04N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK65S04N1L,LQ
Description	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 65 A (Ta) 107W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK65S04N1L,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 300µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2550 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 107W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur DPAK+
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Ta)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK65S04
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 32,5A, 10V

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,48000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,97600 €

TK65S04N1L,LQ