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TK65G10N1,RQ est obsolète et n'est plus fabriqué.
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TK65G10N1,RQ | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TK65G10N1RQTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TK65G10N1,RQ |
Description | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 65 A (Ta) 156W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Modèles EDA/CAO | TK65G10N1,RQ Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5400 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur D2PAK |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohms à 32,5A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TPH3R70APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 4 178 | 264-TPH3R70APLL1QCT-ND | 2,15000 € | Similaire |
| FDB047N10 | onsemi | 22 | FDB047N10CT-ND | 4,42000 € | Similaire |
| STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 49 | 497-14979-1-ND | 3,68000 € | Similaire |
Obsolète
