Name: TK5R1A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5R1A08QMS4X-ND
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

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TK5R1A08QM,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK5R1A08QMS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK5R1A08QM,S4X
Description	UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 70 A (Tc) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK5R1A08QM,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,1mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3980 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 12

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,10000 €	2,10 €
50	1,02720 €	51,36 €
100	0,92320 €	92,32 €
500	0,74064 €	370,32 €
1 000	0,68196 €	681,96 €
2 000	0,63262 €	1 265,24 €
5 000	0,61755 €	3 087,75 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.