Name: TK5P50D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5P50D(T6RSS-Q)TR-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK5P50D(T6RSS-Q)
Numéro de produit DigiKey	264-TK5P50D(T6RSS-Q)TR-ND - Bande et bobine 264-TK5P50D(T6RSS-Q)CT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK5P50D(T6RSS-Q)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK5P50D(T6RSS-Q)
Description	MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 5 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK5P50D(T6RSS-Q) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	490 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK5P50